捷佳伟创亮相IICIE并发布厚铜电镀新方案

9月10日，在2026国际集成电路创新博览会（IICIE）举办的宽禁带半导体技术-SiC/GaN嵌埋PCB装备及材料供应链专题研讨会上，捷佳伟创先进电子电路装备板块负责人任金枝女士现场发表主题演讲，正式对外分享一套可实现快速超厚铜制备的直流电镀方案，直指当前行业普遍面临的厚铜电镀效率低下痛点。

自研技术，突破瓶颈

针对这一行业瓶颈，捷佳伟创推出的自研喷吸双向压差流场技术，通过在喷管与吸管之间形成可控压力差，大幅加速通孔内部的药液定向流通，使孔内传质效率提升30%-40%，有效改善电镀过程中的浓度差极化现象，在高电流密度（8-10ASD）工况下显著提升孔内电镀效率，最终实现厚铜电镀TP值的系统性提升。

实测数据，性能验证

现场公布的实测数据显示，在最优工艺参数组合下，该方案可在3小时内将厚径比5:1的通孔孔铜厚度镀至100μm以上，对应TP值达到110%。同时该技术方案对国产电镀药水的适配表现与进口药水无明显差距，可为产业链进一步降低材料成本、推进供应链自主可控提供装备支撑。

该技术未来将应用于捷佳伟创全自动移载式填孔电镀设备形成产品矩阵，覆盖从HDI高端PCB到宽禁带半导体配套厚铜基板的多元制造需求。