捷佳伟创掩膜喷墨打印设备交付头部晶硅企业，实现精准图形化量产！

近日，捷佳伟创自主研发的专用高精度掩膜喷墨打印设备正式交付国内头部晶硅光伏企业。该设备专为BC电池背面Poly层图形化工艺定制，替代传统激光开槽、干膜光刻方案，实现BC电池钝化层精细化图形化低成本量产。

技术原理与优势

针对传统激光工艺易造成硅片热损伤、干膜光刻工序繁琐成本高等痛点，设备采用“掩膜打印+HF选择性刻蚀+强碱脱膜”湿法路线，全程低温无热损伤。搭载工业压电式多通道喷头，打印线条重复定位精度±2μm，掩膜宽度50-200μm可调，墨滴直径15-50μm稳定可控。兼容182/210全尺寸硅片，适配N型TBC、IBC等各类背接触电池结构。 

量产效益提升

· 材料利用率超95%，掩膜耗材消耗量降低50%以上；

· 省去激光运维、干膜采购、曝光显影等多道工序；

· 设备兼容现有湿法产线，内置AOI视觉检测，综合良率提升0.2-0.5个百分点；

· 实测电池开路电压、转换效率均实现正向增益。 

本次交付实现了掩膜打印与前后道清洗工序的工艺协同，补齐了国产BC量产精密图形化装备短板。未来，公司将面向BC晶硅、钙钛矿/硅叠层两大赛道，提供“设备+墨水+成套工艺方案”一体化服务。